Hochstromflachdrahtspeicherinduktivität mit höherem Sättigungsstrom
Würth Elektronik eiSos erweitert Produktfamilie WE-HCF

(pressebox) Waldenburg, 22.06.2017 - Würth Elektronik eiSos stellt WE-HCF in Bauform 2815 vor, eine Flachdrahtspeicherinduktivität mit sehr hoher Strombelastbarkeit und Effizienz. Das jüngste Mitglied der WE-HCF-Reihe ist bis 36 A belastbar und erreicht Sättigungsströme bis 125 A. Mit ihrem großen Drahtquerschnitt bietet die Induktivität einen 13 Prozent geringeren Widerstand als vergleichbare Produkte am Markt und erreicht einen bis zu 82 Prozent höheren Sättigungsstrom.

WE-HCF in Bauform 2815 füllt die Lücke zwischen den bisher verfügbaren Bauformen 2013 und 2818 und stellt eine weitere Verbesserung der SMT-bestückbaren Induktivitäten dar – mit bis zu 50 Prozent höheren Nennströmen als bei der 2013-Serie. Die Flachdrahtspule hat einen Widerstand von nur 1,31 mΩ und mit ihrem Kern aus Mangan-Zink-Ferrit weist die magnetisch geschirmte Speicherdrossel sehr geringe Kernverluste auf. Das bis 125 °C spezifizierte Bauelement eignet sich als hocheffizienter DC/DC-Wandler für Einzel- und Mehrphasenumrichter oder zur Filterung von Audioanwendungen. Besonders geeignet ist WE-HCF auch für Hochstromaufwärtswandler.

WE-HCF ist ab Lager in beliebigen Stückzahlen verfügbar. Kostenlose Muster sind erhältlich.