Gate Drive Transformer mit EP7-Kern
(pressebox) Waldenburg, 18.09.2014 - Zur Ansteuerung von sekundärseitigen MOSFETs benötigen synchron gleichgerichtete Flyback Konverter galvanisch getrennte Gate Drive Transformer. Würth Elektronik erweitert ihre Serie WE-GDT um Gate Drive Transformer in EP7-Bauform.
Die galvanische Trennung ermöglicht eine Ansteuerung der MOSFETs unter Berücksichtigung hoher Isolationsspannungen von bis zu 2500 V. Der Aufbau entspricht einer Basisisolierung für Betriebsspannungen von 250 Vrms gemäß EN61558 2 16. Er gewährleistet zwischen der Primär- und Sekundärwicklung eine Prüfspannung von 2500 VAC. Das Vµs-Produkt ist bei dieser Serie um 70 % höher, als bei der bisherigen WE-GDT Serie und ermöglicht so eine schnelle Ansteuerung von sekundärseitigen MOSFETs. Der EP7 Kern wirkt als Schirmung gegen externe magnetische Felder und reduziert zusätzlich sein eigenes Magnetfeld, wodurch die elektromagnetische Abstrahlung der Endanwendung verringert wird.
Die WE-GDT Gate Drive Transformer sind mit drei Wicklungen und bis zu fünf Wicklungsverhältnissen ab Lager lieferbar. Würth Elektronik eiSos liefert jederzeit auf Anfrage kostenlose Muster.
Die galvanische Trennung ermöglicht eine Ansteuerung der MOSFETs unter Berücksichtigung hoher Isolationsspannungen von bis zu 2500 V. Der Aufbau entspricht einer Basisisolierung für Betriebsspannungen von 250 Vrms gemäß EN61558 2 16. Er gewährleistet zwischen der Primär- und Sekundärwicklung eine Prüfspannung von 2500 VAC. Das Vµs-Produkt ist bei dieser Serie um 70 % höher, als bei der bisherigen WE-GDT Serie und ermöglicht so eine schnelle Ansteuerung von sekundärseitigen MOSFETs. Der EP7 Kern wirkt als Schirmung gegen externe magnetische Felder und reduziert zusätzlich sein eigenes Magnetfeld, wodurch die elektromagnetische Abstrahlung der Endanwendung verringert wird.
Die WE-GDT Gate Drive Transformer sind mit drei Wicklungen und bis zu fünf Wicklungsverhältnissen ab Lager lieferbar. Würth Elektronik eiSos liefert jederzeit auf Anfrage kostenlose Muster.
